NchMOSFET IRLML6344TRPBFTR（10件）

◆特點
·IR的芯片MOSFET 
的低導通電阻29Emuomega 
-SOT23封裝
·Ñ通道
：◆主要規格（大= 25° 
C。） -VDS： VGS-30V：± 12V 　-ID：5A（大= 25°C。，VGS = 10V ） 　4A（鉭= 70° C.，VGS = 10V）的RDS（ON） 　最大值：29Emuomega（VGS = 　4.5V）37Emuomega （VGS = 　2.5V）-PD：1.3W（大= 25° 　C。）0.8W （大= 70℃） ※1包10個單位的銷售。 參考文獻 ☆鏈接SMD板
 

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